2N65功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
产品参数：
2A，650V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V
极低栅电荷，典型9nC
极低反向转换电容；典型5pF
快速开关能力
增强的dV/di能力
100%雪崩击穿测试
封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252 ·
最大结温 150 ℃
主要产品领域：LED灯，节能灯 个人电脑电源辅助系统 电视机，液晶电视和手机，MP3/PDA 数码相机，DVD，机顶盒，交换机 传真机，打印机 节能灯专用500V场效应管，CFL电源驱动MOS管。
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