HUSTEC华科智源
HUSTEC-1600A-MT
半导体测试设备
一：半导体测试设备主要特点
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；
半导体测试设备测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。
二：华科智源半导体测试设备应用范围
A：IGBT单管及模块，
B：大功率场效应管（Mosfet）
C：大功率二极管
D：标准低阻值电阻
E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测
三、华科智源半导体测试设备特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障）
L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；
序号 | 测试项目 | 描述 | 测量范围 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二极管正向导通压降 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二极管正向导通电流 | 0~1200A | ≤200A时,0.1A | ≤200A时,±1%±0.1A |
3 | ＞200A时,1A | ＞200A时,±1% | |||
4 | Vces | 集电极-发射极电压 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通态集电极电流 | 0~1200A | ≤200A时,0.1A | ≤200A时,±1%±0.1A |
6 | ＞200A时,1A | ＞200A时,±1% | |||
7 | Ices | 集电极-发射极漏电流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 栅极-发射极阈值电压 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集电极-发射极饱和电压 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向栅极漏电流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向栅极漏电流 | |||
12 | Vges | 栅极发射极电压 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
IGBT静态参数测试仪整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用
1) 物理规格
设备尺寸：500（宽）x 450（深）x 250（高）mm；
质量：30kg
2) 环境要求
海拔高度：海拔不超过 1000m；
储存环境：-20℃～50℃；
工作环境：15℃～40℃。
相对湿度：20%RH ~ 85%RH ；
大气压力：86Kpa～ 106Kpa。
防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
3) 水电气 用电要求：AC220V，±10%；
电网频率：50Hz±1Hz
