稳定可靠的硬件,始终如一 |
人性化操作软件,易懂易用 |
良好的扩展功能,高瞻远瞩 |
低使用成本设计,经济实用 |
分光系统 凹面全息离子刻蚀光栅 |
光源系统 激发电压500V/300V软件设置自动转换 |
数据处理系统及分析软件 外置式品牌计算机及打印机 |
电源和环境要求 220V±10%,50/60Hz,最大功率4KVA |
※外观及规格如有变动,恕不另行通知。
发射光谱分析:(OES:Optical Emission Spectroscopy)
所谓发射光谱分析是指使用放电等离子体蒸发气化来激发样品中的目标元素,根据得到的元素固有的亮线光谱(原子光谱)的波长进行定性,并根据发光强度进行定量的分析方法。
广义上讲,激发放电(光源)还包括使用ICP(Inductively coupled plasma 电感耦合等离子体)作为激发放电(光源)的ICP发射光谱分析。但发射光谱分析(发光分析)或光电测光式发射光谱分析,是指使用火花放电/直流电弧放电 /辉光放电作为激发放电的发射光谱分析。发射光谱分析中,在固体金属样品和与电极之间发生放电。
岛津的发射光谱分析装置是在氩气氛围中进行火花放电,对火花脉冲的发光进行统计处理,采用可提高测定重现性(精度)的方式(PDA测光方式:Pulse Distribution Analysis)。
发射光谱分析装置可快速测定固体金属样品的元素组成,是在炼铁、铝冶炼工艺管理用中必不可少的手段。